Армирование пдн: В чем преимущества «серийных» дорожных плит ПДН?

Содержание

В чем преимущества «серийных» дорожных плит ПДН?

Одним из основных видов железобетонных изделий, на котором специализируется АО «Пермтрансжелезобетон», являются плиты дорожные ПДН. Ежедневно наш завод производит более 500 штук.

Плиты ПДН – это железобетонные предварительно напряженные дорожные плиты, предназначенные для устройства покрытий автомобильных дорог в местах со сложными грунтово-гидрологическими и климатическими условиями. Проще говоря, это плиты для строительства дорог, в том числе в местах со сложными погодными условиями с температурой воздуха до – 55 ͦ С.

АО «Пермтрансжелезобетон» выпускает плиты ПДН, руководствуясь рабочими чертежами по серии 3.503.1-91, утвержденными еще в 1990 году Минтрансстроем СССР и разработанными умами многонационального народа Советского Союза.  И за 30 лет, исходя из опыта наших партнеров, ничего лучше в этой ценовой категории так и не придумали.

Давайте разберемся, почему плиты ПДН серии 3.503. 1-91 пользуются особой популярностью среди заказчиков. Из чего складывается их надежность?

Характеристика бетона

Плиты изготавливают из тяжелого бетона с повышенными характеристиками:

  • Марки по прочности – не ниже В27,5 (М350) с возможностью увеличения по требованию и до В30 и до В50
  • Марки по морозостойкости – F₂ 300 (300 циклов заморозки/разморозки, определенных вторым базовым методом, после погружения образцов в 5% водный раствор хлорида натрия)
  • Марка по водонепроницаемости – не ниже W6

Состав бетона

В состав бетона входят три основных элемента: вода, цемент, наполнитель, песок.

  • Цемент на основе клинкера нормированного состава (буква Н в обозначении цемента) с содержанием трехкальциевого алюмината С₃А в количестве не более 7% по массе (большее содержание ухудшает показатели по морозостойкости бетона и могут являться причиной сульфатной коррозии цемента).
  • Крупный наполнитель – высокопрочный щебень фракции 5-20 (марка по прочностью М 1200).

Армирование

Форма и размеры арматурных и монтажно-стыковых изделий соответствуют «основному» варианту армирования по серии 3.503.1-91, а именно:

  • 10 (десять) напряженных стержней диаметром 12мм арматуры Ат800 в качестве продольного армирования;
  • Сварные сетки из ненапрягаемой арматуры в качестве поперечного армирования: в средней части – сеткой из холоднотянутой проволоки ВрI диаметром 5мм, на крайних участках – из стержневой арматуры класса А400 диаметром 8 мм.

Общий чертеж армирования в плите ПДН производства АО «Пермтрансжелезобетон» выглядит так:

Как видно из чертежа, арматурный каркас полностью «заполняет» плиту, благодаря чему она имеет высокие показатели трещиностойкости.

Таким образом, при производстве плит ПДН по серии 3.503.1-91 важно соблюдать требования к армированию плит и составу бетона, обеспечивающему получения его высоких характеристик.

Эти составляющие позволяют достигать отличных показателей по прочности, трещиностойкости и долговечности.

Благодаря им плита получается «мощной» – прочной, устойчивой к низким температурам и высоким нагрузкам, имеющей повышенные показатели трещиностойкости, морозостойкости и водонепроницаемости.

ПДН АVI по стандарту: Серия 3.503.1-91

Плиты дорожные напряженные ПДН АVI могут быть использованы в дорожной сфере как возможность минимизировать затраты при обустройстве дорожного полотна, при этом получив высокопрочные конструкции. Такая дорога отличается долговечностью и надежностью, при этом не требует затрат на ремонт и обслуживание.

Плиты дорожные с предварительным напряжением ПДН АVI — это оптимальный выбор для организации различных покрытий «сложных» грунтов. Данные изделия представляют собой железобетонные элементы повышенной прочности прямоугольного сечения. Плиты выполнены сплошным полотном.

1.Варианты написания маркировки.

Данные изделия ПДН АVI маркируют согласно действующему Стандарту Серия 3. 503.1-91, согласно которой в обозначении должны быть указаны тип изделия и его размерная подгруппа, в маркировку входит обозначение класса напрягаемой арматуры. Варианты написания маркировки:

1. ПДН AVI;

2. ПДН 14.

2.Основная сфера применения.

Плиты дорожные ПДН АVI применяют при обустройстве дорог, а также покрытий площадок в аэропортах и на военных полигонах. Так как данные изделия армированы, то они способны воспринимать значительные нагрузки от тяжелой бронированной техники или самолетов. Дорожное полотно получается очень прочным, так как сами плиты весят свыше 2 тонн. Это универсальные железобетонные элементы, применение которых полностью экономически оправдано. За счет жесткого армирования плиты ПДН АVI могут выдерживать сдавливающие и сжимающие деформации от многотонной техники.

Данные плиты ПДН АVI могут быть использованы также и в гражданском строительстве для обустройства стояночных площадок в условиях мягких или просадочных грунтов, в качестве основных изделий для строительства подъездных дорог и покрытий дорожного полотна вспомогательного назначения. ПДН АVI могут быть применены в условиях гидрогеологической нестабильности или сложных климатических условиях, что позволяет использовать плитные элементы в условиях повышенных автомобильных нагрузок, например, автомагистрали.

3.Обозначение маркировки изделий.

Напряженные дорожные плиты ПДН АVI маркируют согласно Серии 3.503.1-91. В основное обозначение входит: указание типа изделия ПД плиты дорожные, буква «Н» указывает, что данные изделия выполнены напряженными, за счет чего они выдерживают большие нагрузки, далее указывается размерная группа толщина плиты, буква А класс армирования изделия, VI класс напрягаемой арматуры. Габаритные размеры плиты составляют 6000х2000х140 , с указанием длины, ширины и высоты.

Дополнительно могут быть указаны: обозначение скошенных бортов буквой «М»; геометрический объем одного изделия составляет 1,68 , объем бетона — 1,68 , масса изделия 4200 . Таким образом, плита ПДН АVI является усовершенствованной дорожной плитой.

4.Основные материалы для изготовления и их характеристики.

Изготовление и производство плит напряженных ПДН АVI осуществляется согласно ТУ 35-871 89 и Серии 3.503.1-91 по технологии вибропрессования. Для плит используют особо тяжелые бетоны марки по прочности на сжатие М400 согласно ГОСТ 26633. В сырье обязательно должны входит такие компоненты как гравийный щебень, портландцемент и мелкофракционный песок. Данные материалы позволяют получить высокомарочный бетон с высокими эксплуатационными характеристиками. Класс прочности соответствует пределам В27,5.

Для получения более высоких параметров в бетоны добавляют пластификаторы и специальные добавки. Это позволяет получить марку по морозостойкости F200-F300, поэтому плиту допустимо использовать при расчетной температуре до минус 55°C. Марка бетона по водонепроницаемости W6. Предъявляют требования и по стойкости к образованию трещин, для этого в плиты ПДН АVI изготавливают с повышенным запасом прочности.

Для армирования дорожной плиты применяется арматурная сталь классов А-IV, А-V по ГОСТ 5781, классов Aт-IV, Ат-V по ГОСТ 10884. Производится двухрядное армирование 10 прутков. Тип сварной сетки С1 и С2. Дополнительно в тело плиты закладывают монтажные петли. Все стальные элементы проходят антикоррозионную обработку.

5.Хранение и транспортировка.

Дорожные напряженные плиты ПДН АVI перевозят в горизонтальном положении в стопке не более 10 плит. Слои прокладывают деревянными подкладками. Хранение ЖБИ-плит осуществляется в штабелях, при этом каждый блок укладывают на подготовленное основание. При разгрузке не допускается сбрасывание или навал плит, так как это ведет к механическому разрушению изделий. Грамотное хранение позволит сохранить элементы в надлежащем состоянии для эксплуатации.

Уважаемые покупатели! Сайт носит информационный характер.
Указанные на сайте информация не являются публичной офертой (ст.435 ГК РФ).
Стоимость и наличие товара просьба уточнять в офисе продаж или по телефону 8 (800) 500-22-52

ГОСТ 21924.2-84 Плиты железобетонные с ненапрягаемой арматурой для покрытий городских дорог. Конструкция и размеры

ГОСТ 21924.2-84

МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЕ СТАНДАРТЫ

ПЛИТЫ
ЖЕЛЕЗОБЕТОННЫЕ

С НЕНАПРЯГАЕМОЙ АРМАТУРОЙ

ДЛЯ ПОКРЫТИЙ ГОРОДСКИХ ДОРОГ

ИПК ИЗДАТЕЛЬСТВО СТАНДАРТОВ

Москва

МЕЖГОСУДАРСТВЕН НЫЙ
СТАНДАРТ




ПЛИТЫ
ЖЕЛЕЗОБЕТОННЫЕ С НЕНАПРЯГАЕМОЙ

АРМАТУРОЙ ДЛЯ ПОКРЫТИЙ ГОРОДСКИХ ДОРОГ

Ко н струкция и размеры

Reinforced concrete slabs of unstressed fittings for pavem e nts of city roads.

Structure and dimensions

ГОСТ

21924.2-84

Дата введения 01.01.85

1 . Настоящий стандарт распространяется на
железобетонные плиты с ненапрягаемой арматурой, изготовляемые из тяжелого
бетона и предназначенные для устройства покрытий постоянных и временных
городских дорог под автомобильную нагрузку Н-3 0 и Н-1 0, и устанавливает конструкцию этих плит.

Плиты
применяют для дорог в районах с расчетной температурой наружного воздуха
(средней наиболее холодной пятидневки района строительства по СНиП 2.01.01) до минус 40 ° C в кл юч.

При применении плит в климатическом подрайоне IVA должны учитываться дополнительные
требования СНиП
2.03.01 к конструкциям, предназначенным для
эксплуатации в этих условиях.

Допускается
применение данных плит для дорог в районах с расчетной температурой наружного
воздуха ниже минус 40 ° C при
соблюдении требований, предъявляемых СНиП 2. 03.01 к конструкциям,
предназначенным для эксплуатации в этих условиях.

(Изме н енн ая редакция, Изм. № 1).

2 . Форма и основные параметры плит — по ГОСТ 21924.0 .

3 . Технические показатели плит приведены
в табл. 1 .

4 . Плиты должны удовлетворять всем
требованиям ГОСТ 21924.0
и настоящего стандарта.

5 . Армирование плит должно
соответствовать приведенному на черт. 1
— 7 .

Армирование
плит термомеханически упрочненной арматурной сталью класса Ат — III С по ГОСТ
10884 аналогично армированию арматурной сталью класса А- III по ГОСТ
5781 .

Примечание . Допускается приме н ен ие для фиксации арматурн ых
сеток вместо элеме нтов К1-К 10 и Ф1 фиксаторов других типов, которые без увеличения расхода
стали на плиту обеспечивают фиксацию арматуры согласн о тре бованиям данн ого стандарта при исключении выхода металла на лицевую
поверхность плиты в пределах защитного слоя бетона.

6 . Спецификация арматурных и монтажно-стыковых
элементов приведена в табл. 2 , выборка арматурной стали для их
изготовления на одну плиту — в табл. 3 .

5 , 6 . (Измененная
редакция, Изм. № 1).

7 . Форма и размеры арматурных и
монтажно-стыковых элементов — по ГОСТ 21924.3 .

8 . Значения контрольной нагрузки (без
учета собственного веса плиты) для испытания плит по прочности и трещ и ностойкости приведены в
табл. 4 .

9 . Контрольная ширина раскрытия трещин
при испытании плит по трещиностойкости не должна превышать 0,2 мм.

Таблица 1









































































































































































Марка плиты

Класс бето н а по прочн ости на сжатие

Марка б е тон а по прочности на
растяжение при изгибе

Площадь постели, м 2

Расход материал ов

Бетон на плиту, м 3

Ста ль , кг

на пл и ту

на 1 м 3 постели

1П35. 28-30

В30

50

9,6

1 ,63

11 3,92

11 ,87

2П35.28-30

В22,5

1П35.28-10

В30

79,36

8,27

2П35. 28-10

В22 ,5

1П30.18-30

В30

5,2

0,88

66,26

12,74

2П30.18-30

В22 ,5

46,48

8,94

1П30.18-10

В30

2П30. 18-10

В22 ,5

37,24

7,16

1П18.18-30

В30

3,0

0,48

46,94

15,65

2П18.18-30

В22,5

33,80

11 ,27

1П18. 18-10

В30

2П18.18-10

В22,5

23,02

7,67

1П18.15-30

В30

2,6

0,41

35,12

13,51

2П18.15-30

В22,5

24,88

9,57

1П18. 15-10

В30

2П18 .1 5-10

В22,5

20,26

7,79

1ПББ35.20-30

В30

7,8

1,35

100,43

12,88

1ПББ35.20-10

71,27

9,14

1ПТ35-30

6,1

1,03

79,75

13 ,07

2ПТ35-30

В22,5

1ПТ35 -1 0

В30

56,58

9,28

2ПТ35 -1 0

В22,5

1ПШ13-30

В30

4,0

0,72

25,22

6,30

1ПШД13 — 30

0,76

1ПШП13-30

0,77

1ПШ12-30

3,5

0,63

24,02

6,86

1ПШД12-30

0,66

1ПШП12-30

0,67

1ДПШ13-30

2,0

0,36

16,25

8,12

1ДПШ12-30

1,7

0,31

15,48

9 ,1 0

1ППШ13-30

2,0

0,36

1 6,60

8,30

1 П ПШ12-30

1,7

0,31

15,83

9,31

Черт. 1

Черт. 2

Черт. 3

Черт. 4

Черт. 5

Черт. 6

Черт. 7

Таблица 2


































































































































































































Марка плиты

Арматурные сетки

Арматурны е каркасы

Монтажные петли

Скобы

Фиксаторы

Отдель н ые стержн и

Марка

Число

Марка

Число

Марка

Число

Марка

Число

Марка

Число

Поз.

Чи сло

1П35.28 — 30,

С8

2

К1

2

П3

4

19

4

2П35. 28-30

20

1 П35.28-10,

С9

К2

21

2П35.28 -1 0

22

1П30.18-30

С10

К3

П4

23

24

2П30. 18-30,

СП

К 4

25

1П30.18-10

26

2П30 .18-1 0

С12

К5

27

28

1П18. 1 8-30

С13

К 6

П 5





29

8

2 П 18. 18-30,
1П18.1 8-10

С14

К7

24

2П18.18-10

С15

К 8

26

1П18.15-30

С16

К 9

29

4

30

2П18. 15-30,

С17

К10

24

1П18.15-10

31

2П18.15-10

С18

К8

26

32

1ПББ35.20-30

С19

К 9

3

П3

С к 1

4

33

1ПББ35. 20-10

С20

К10

35

1ПТ35-30,

С21

К3



71

2 ПТ 35-3 0

72

2

73

1ПТ35-10,

С22

К4

74

4

2ПТ35 -1 0

75

2

76

1ПШ13-30,

С23

1

К11 , К12

2

П6

Ф1

6

77

12

1ПШД13-30,

1ПШП13-30

1ПШ12-30,

К 13, К 14

1ПШД12-30,

1ПШП12-30

1ДП Ш1 3-30

К1 5 — К17

1

3

5

4

1ДПШ12-30

К18
— К 20

1 ППШ1 3-30


К21
— К 23

6

6

1ППШ12-30

К24
— К 26

Таблица 3

кг




















































































































































































































































Марка плиты

Арматурная сталь по ГОСТ 5781

Арматурная сталь по ГОСТ 6727

Всего

Класс А- III

Класс А — I

Класс Вр- I

Диаметр, мм

Итого

Диаметр, мм

Итого

Диаметр, мм

8

10

12

8

10

12

14

16

4

5

Итого

1П35. 28-30,

43,78

61,80

105,58

0,60

6,08

6,68

1,66

1,66

113,92

2П35. 28-30

1П35.28-10 ,

28,04

42,96

71,00

1,68

1,68

79,36

2П35.28-10

1П30.18-30

23,50

37,06

60,56

3,76

4,36

1,34

1,34

66,26

2П30. 18-30,

15,02

25,74


40,76

1,36

1,36

46,48

1П30.18-10

2П30 .18-1 0

16,50


16,50

15,02

19,38

37,24

1П18. 18-30


43,04

43,04

2,88

2,88

1,02

1,02

46,94

2П18 .1 8-30,


29,90


29,90

33,80

1П18. 18-10

2П18.18-10

19,10


19,10

1,04

1,04

23,02

1П18.15-30

12,78

18 ,44

31,22

1,02

1,02

35,12

2П18 . 1 5-30,

8,16

12,82

20,98

24,88

1П18.15-10

2П18 .1 5-10

8,18

8,18

8,16

11,04

1,04

1,04

20,26

1ПББ35. 20-30

34,20

55,14

89,34

1,20

6,08

2,28

9,56

1,53

1,53

100,43

1ПББ35. 20-10

21,90

38,28

60,18

71,27

1ПТ35-30,

27,76

43,30

71,06

0,60

6,68

2,01

2,01

79,75

2ПТ35-30

1ПТ35-10,

17,78

30,08

47,86

2,04

2,04

56,58

2ПТ35 -1 0

1П Ш13-30,

21,34

21,34

2,88

2,88

1,00

1,00

25,22

1ПШД13-30,

1ПШП13 — 30

1П Ш1 2-30,

20,14

20,14

24,02

1ПШД12-30,

1ПШП12-30

1ДП Ш1 3-30

13,32

13,32

2,16

2,16

0,77

0,77

16,25

1ДП Ш1 2-30

12,55

12,55

15,48

1ППШ13-30

13,72

13,72

0,72

0,72

16,60

1ППШ12-30

12,95

12,95

15,83

Прим еча ние .
При применении арматурной стали класса Ат- IIIC ее диаметр и расход следует принимать
одинаковым с арматурной сталью класса А- III .

Табл иц а 4


































































































Марка плиты

Контрольная нагрузка (б е з учета собственного веса
плиты), кН (тс), при испытании плит

Марка
плиты

Контрольная н агрузка (без учета
собственного веса плиты), кН (тс), при испытании пли т

по проч н ости

по
трещи н остойк ости

по прочности

по трещиностойкости

1П35. 28-30

115,6 (11,8)

63, 7 ( 6,5)

1П18 .1 5-30

179, 3 ( 18,3)

99, 0 ( 10,1)

2П35.28-30

113,7
(11,6)

62,7
(6 , 4)

2П18 .1 5-30

122, 5 ( 12,5)

67,6 (6,9)

1П35. 28-10

67,6
(6 , 9)

37, 2 ( 3,8)

1П18.15-10

123, 5 ( 12,6)

67,6 (6,9)

2П35.28-10

66,6
(6,8)

2П18.15-10

73, 5 ( 7,5)

40, 2 ( 4,1)

1П30. 18-30

107, 8 ( 11,0)

59, 8 ( 6,1)

1ПББ35.20-30

69, 6 ( 7,1)

38, 2 ( 3,9)

2П30.18-30

68, 6 ( 7,0)

37, 2 ( 3,8)

1ПББ35.20-10

38, 2 ( 3,9)

21, 6 ( 2,2)

1П30. 18-10

69,6
(7,1)

38, 2 ( 3,9)

1ПТ35-30

83, 3 ( 8,5)

46,1
(4,7)

2П30.18-1 0

33, 3 ( 3,4)

18, 6 ( 1,9)

2ПТ35-30

82,3
(8,4)

45,1
(4,6)

1П18. 18-30

184, 2 ( 18,8)

100, 9 ( 10,3)

1ПТ35- 1 0

50,0
(5,1)

27, 4 ( 2,8)

2П18. 1 8-30

128,4
(13,1)

70,6
(7,2)

2ПТ35-10

1П18. 18-10

129,4
(13,2)

71, 5 ( 7,3)

1ПШ13,

1ПШД13,

94,1
(9,6)

51,9
(5,3)

2П18.18-10

78,4
(8,0)

43,1
(4,4)

1ПШП13

1ПШ12,

1ПШД12,

79, 4 ( 8,1)

44 ,1 (4,5)

1ПШП12

ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ

1 .
РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Министерством
жилищно-коммунального хозяйства РСФСР

2 .
УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ
ПОСТАНОВЛЕНИЕМ Государственного комитета СССР по делам строительства от
30.09.83 № 210

3 .
ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ

4 .
ССЫЛОЧНЫЕ НОРМАТИВНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ
ДОКУМЕНТЫ

























Обозначение
НТД, на который дана ссылка

Номер пу н кта

ГОСТ 5781-82

5 , 6

ГОСТ 6727-80

6

ГОСТ 10884-94

5

ГОСТ
21924. 0-84

2 , 4

ГОСТ
21924.3-84

7

СНиП
2.01.01-82

1

СНиП
2.03.01-84

1

5 . ИЗДАНИЕ (январь 2002 г.) с Изменением № 1, утвержденным в
декабре 1987 г. (ИУС 5 -8 8)

Плиты дорожные преднапряженные | Продукция | Каталог продукции

Плиты дорожные преднапряженные




Проектная документация Марка изделия Размеры, мм
длина ширина высота
Серия 3. 503.1-91

Б3.503.1-13.08вып.1

ПДН-АтV

1ПП 60.20.230

1ПП 60.20.200
6000 2000 140

 

Плита дорожная напряженная – ПДН – используется для прокладки дорог в местностях со сложными грунто-геологическими и климатическими условиями. Мягкий грунт, высокое залегание поверхностных вод – все это плита ПДН переносит совершенно спокойно, сохраняя целостность дорожного полотна, а если проложить асфальтовую дорогу на таких почвах, она быстро превратится в волнистую поверхность.

Плита дорожная ПДН просто незаменима для северных широт, поскольку производится из бетона с маркой  по морозостойкости – F250, по климатическим условиям — для районов с температурой ниже минус 15⁰С с понижениями до минус 40⁰С.

Класс прочности бетона С22/27,5 (В27,5), класс прочности на растяжение при изгибе Btb3,6. Рабочее армирование — 10Ø12S800, двухрядное.

Благодаря своей компактности и удобству транспортировки, плиты дорожные ПДН могут быть доставлены даже в труднодоступные места. Дорожные плиты рассчитаны для нормативной нагрузки 50кН (5тс) на колесо трехосного автомобиля.

               В серии Б3.503.1-13.08 вып.1 предусмотрен вариант дорожных плит для временных дорог (2ПП60.20-200.S800-F200) с характеристиками: класс прочности бетона С20/25, класс прочности на растяжение при изгибе Btb3,2; морозостойкость F200; рабочее армирование — 10Ø10S800, двухрядное. Расчет плит выполнен на проезд двухосного автомобиля с нагрузкой на ось 115кН.

 

Диплом

Лауреат






Замкнутое армирование: стабильность и противовзломность


Для долгой эксплуатации окна очень важно, чтобы его конструкция была стабильна, а само окно было прочно закреплено в стеновом проёме.


Именно замкнутый стальной сердечник, расположенный внутри оконной рамы (его и называют армированием), позволяет прочно зафиксировать окно в проёме и переложить все нагрузки, воздействующие на окно в процессе эксплуатации, на несущий остов здания. 


Кроме того, только замкнутое сечение рамы и импоста, т.е. тех элементов окна, в которые крепятся ответные части запирающих механизмов, позволяет изготавливать противовзломные окна. 


Таким образом, замкнутое сечение армирования, которое по умолчанию устанавливается во все рамы и импосты профильных систем VEKA и WHS by VEKA, – это залог стабильности и безопасности оконных конструкций для вашего дома!


Замкнутое армирование обеспечивает более стабильное закрепление оконной конструкции в стеновом проёме


Крепёж окна может осуществляться через анкерные пластины или быть сквозным. Но, независимо от типа крепежа, при использовании замкнутого армирования в раме крепление будет проще, стабильней и надёжней.


 


Обратите внимание на иллюстрации: если нагель проходит только через одну стенку, рама может люфтить, но если нагель проходит через две стены, рама закреплена стабильно. То же самое относится к анкерной пластине, закреплённой в П-образный металл – в одну болтающуюся стенку металла и в замкнутый. Как говорится, почувствуйте разницу.


 


Второй аспект – противовзломность


Замкнутый металл – это обязательное условие, без соблюдения которого окно не будет устойчиво к взлому.



Ответные планки должны обязательно крепиться в металл, но в случае с П-образным армированием это невозможно.


 



При креплении ответной планки в раму с замкнутым армированием шуруп проходит через две стенки, в том числе через металлическую стенку армирующего вкладыша. Нужно ли уточнять, какой вариант надёжней?

Алгоритм выбора развязывающего конденсатора для PDN на основе глубокого обучения с подкреплением Метод проектирования развязывающего конденсатора на плате (декап) успешно обеспечил 37 оптимальных конструкций декапса с 4 назначенными декапсами для каждого и удовлетворял требуемому целевому импедансу при минимизации количества назначенных декапсов.

Развернуть

  • Просмотреть 3 выдержки, ссылки, методы и справочная информация

Простой и быстрый метод выбора и размещения встроенных развязывающих конденсаторов

Представлен простой и быстрый метод выбора и размещения встроенных развязывающих конденсаторов (декап), которые могут легко выполняется на основе математических инструментов или общих инструментов EDA и может как упростить процесс, так и добиться хороших результатов при поиске оптимального решения. Expand

  • Посмотреть 2 выдержки, справочные материалы, методы и предыстория

Игра в Atari с глубоким обучением с подкреплением

В этой работе представлена ​​первая модель глубокого обучения для успешного изучения политик управления непосредственно на многомерных сенсорных данных с использованием обучения с подкреплением, которое превосходит все предыдущие подходы. в шести играх и превосходит эксперта-человека в трех из них.Expand

  • Посмотреть 4 выдержки, справочные материалы, методы и фон

Классификация ImageNet с помощью глубоких сверточных нейронных сетей

Большая глубокая сверточная нейронная сеть была обучена классифицировать 1,2 миллиона изображений с высоким разрешением на конкурсе ImageNet LSVRC-2010 в 1000 разных классов и использовал недавно разработанный метод регуляризации, называемый «выпадением», который оказался очень эффективным. Expand

  • Посмотреть 1 отрывок, справочная информация

Овладение игрой в го без участия человека

Представлен алгоритм, основанный исключительно на обучении с подкреплением, без данных человека, руководства или знаний предметной области, выходящих за рамки правил игры, который достигает сверхчеловеческой производительности, выигрывая 100 –0 против ранее опубликованного, победившего чемпиона AlphaGo.Expand

  • Посмотреть 1 отрывок, справочная информация

Демистификация целостности электропитания

Конструкция структур электропитания на печатных платах не является тривиальной. Это требует тщательного рассмотрения и методов для достижения наилучшей производительности. Современные устройства с большим количеством контактов нуждаются в эффективных системах распределения питания, обеспечивающих переключение между высокой скоростью и высокой частотой. Места, доступного на печатных платах, становится все меньше. Таким образом, инженеры борются за каждый квадратный миллиметр, используя несколько слоев для компоновки сигнальных сетей и зон питания, части распределения электроэнергии, которые затем соединяются с помощью выделенной сети распределения электроэнергии (PDN) через структуры.

Уменьшение различных напряжений питания в сочетании с возрастающей сложностью ИС и количеством требуемых шин напряжения делает анализ целостности питания неизбежным для высокоскоростных конструкций. Это относится как к эффектам переменного, так и постоянного тока. Наиболее убедительным доказательством является то, что современные схемы, такие как память (LP-)DDR, работают при очень низком напряжении (например, LP-DDR4 при 1,1 В).

Таким образом, типичные системы распределения питания сегодня содержат большое количество переходных отверстий, соединяющих различные части PDN через уровни платы.Часто в этих ПДН проходят большие токи. Токи могут достигать десятков ампер, когда несколько сигналов FPGA переключаются параллельно, в то время как паразитные коммутационные токи могут достигать еще больших величин в течение очень короткого периода времени. Масла в огонь часто подливают автоматические функции сквозного армирования в среде проектирования печатных плат. Это средство, автоматически генерируемое с помощью структур, может быть неоптимально спроектировано для требуемых условий электрической мощности, налагаемых возрастающими токами.

Температура ограничивает ток. Законы физики диктуют, что дорожки и переходные отверстия на печатных платах должны иметь максимальную пропускную способность по току. Существует прямая зависимость между шириной дорожек/размерами переходных отверстий и их пропускной способностью по току. В частности, любая площадь поперечного сечения меди (ширина/толщина дорожки или размер переходного отверстия) является жертвой повышения температуры в зависимости от протекающего тока. Эта максимально допустимая температура обычно ограничивает максимально допустимый ток. Инженеры по компоновке печатных плат часто находят это в различных формулах IPC, касающихся токов дорожки печатных плат. 1,2 Правильный размер и количество переходных отверстий PDN для обеспечения низкого сопротивления и долговременной надежности необходимы для успешного проектирования печатной платы.

В этой статье описывается, как легко проверить ограничение тока между преобразователем постоянного тока и ПЛИС с помощью инструмента Zuken PI/EMI на реальном примере.

ТОП 6 крупнейших покупателей арматурного проката в 🇩🇴 Доминиканской респ.

Показать все
Трейдинг
Производство

Товары Арматура оптом

Торгово-скупочная компания

Вы хотите найти новых клиентов, покупающих арматуру оптом

  1. Ферретерия О Чоа

    Пластиковые ведра и ведра с.е. брезент — п.э. брезент, все четыре края пластмассы, ведра и ведра усилены полипропиленом. в кромке, алюминиевая пластина, пластик, ведра и ведра d втулки с интервалом 3 фута, 7 x 7 ячеек на пластик, ведра и ведра,

  2. Суминистро Экспрессо Отельеро

    Плиты, листы, пленка, фольга и полосы из пластмасс, непористые и неармированные, ламинированные (содержащие не менее 6 мас.% пластификаторов)

  3. Насосы Ct

    Плиты, листы, пленка, фольга и полосы из пластмасс, непористые и неармированные, ламинированные (содержащие не менее 6 мас.% пластификаторов)

  4. Копоно Групп С.

    р.л.

    Плиты, листы, пленка, фольга и полосы из пластмасс, непористые и неармированные, ламинированные (содержащие не менее 6 мас.% пластификаторов)

  5. Рамон Коррипио Сукс

    Пластмассовые ведра и ведра эл. брезент — п.э. брезент, все четыре края пластмассы, ведра и ведра усилены полипропиленом. в кромке, алюминиевая пластина, пластик, ведра и ведра d втулки с интервалом 3 фута, 7 x 7 ячеек на пластик, ведра и ведра,

  6. Дова Трейдинг С.р.л.

    Плиты, листы, пленка, фольга и полосы из пластмасс, непористые и неармированные, ламинированные (содержащие не менее 6 мас.% пластификаторов)

Елена Еременко
менеджер по логистике в ЕС, Азию

логистика, сертификат
электронная почта: [email protected]

Крупнейшие производители и экспортеры арматурных пластин

Компания (размер) Продукт Страна
1.🇮🇱 Erez Thermolastic (6) ДРУГИЕ ПЛИТЫ, ЛИСТЫ, ПЛЕНКИ ПЛАСТИКОВЫЕ ЛИСТЫ, УСИЛЕННЫЕ ТЕКСТИЛЬНЫМ МАТЕРИАЛОМ Израиль
2. 🇮🇳 Rucha Engineering Pvt., Ltd. (6) УСИЛИТЕЛЬНАЯ ПЛАСТИНА КОЛЕНЧАТОГО ВАЛА БОЛТ AA. INV NO & ДАТА / ПОКУПАТЕЛЬ & ; ЗАКАЗ № СБ №. ДТ. ЧИСТАЯ ВЕС. ВСЕГО КГ ЧЕТЫРЕ КОРОБКИ В УПАКОВКЕ Индия
3. 🇲🇰 Ruen Inox Automobile (5) СТУПИЦА, ПЛАСТИНА, ФИКСАТОР, УСИЛЕНИЕ Македония
4.🇮🇱 TFC (4) ДРУГИЕ ПЛИТЫ, ЛИСТЫ, ПЛЕНКИ ПЛАСТИКОВЫЕ ЛИСТЫ, АРМИРОВАННЫЕ ТЕКСТИЛЬНЫМ МАТЕРИАЛОМ Израиль
5. 🇮🇳 Manjunatha Industries (3) УСИЛИТЕЛЬНАЯ ПЛИТА INV: MI/ / DT: HS CD: SB: ДАТА: ВЕС НЕТТО: KGS ВСЕГО: ТОЛЬКО ТРИ УПАКОВКИ Индия

ПЛИТА АРМАТУРНАЯ оптовая цена в Доминиканской Республике

Товар Арматура цена за кг, тонн Вес
Прямоугольные пластины из алюминиевых сплавов.Сплав марки Д16. Химический состав Размер 12x1200x3000: Si 0 16,6 $/кг 10-100 кг
Полосы из алюминиевого сплава En Aw 6060 т66; Для дальнейшего использования при установке конструкций на объектах в Гражданском здании $ 3. 9 за кг 100 — 1.000 кг 100 — 1.000 кг
Плоские потоки (прямоугольные поперечные доски) от ANAW7075 Алюминиевый сплав $ 3.7 / кг 1.000 — 10.000 кг

Усилительная пластина Склад

  1. Склад в Санто-Доминго
  2. Арматурная плита в Сантьяго
  3. Склад в Сан-Педро-де-Макорис
  4. Ла-Романа, Доминиканская Республика
  5. Склад, Ла-Вега, Доминиканская Республика

Просмотрите эту статью:

Лицо: Неглинова Катя 9 января 2022 г.
Образование: Национальный университет Цин Хуа, Тайвань

© Copyright 2016 — 2022 «Экспорт из России».Все права защищены.
Сайт не является публичной офертой. Вся информация на сайте носит ознакомительный характер. Все тексты, изображения и товарные знаки на этом веб-сайте являются интеллектуальной собственностью их соответствующих владельцев. Мы не являемся дистрибьютором бренда или компаний, представленных на сайте, Политика конфиденциальности

Итоговая программа конференции EPEPS-2021

8:00 — 10:00 Тихоокеанский регион

Учебники

Модератор:

Сураджит Рой, Индийский технологический институт Рурки


  • 8:00–9:00 по тихоокеанскому времени — Учебное пособие I — The HIR — Упаковка, гетерогенная интеграция и высокопроизводительные вычисления

    Дейл Беккер

    Корпорация IBM


  • 9:00 — 10:00 по тихоокеанскому времени — Учебное пособие III — Решение задач ЭМ-моделирования для задач IC-Packed-Board

    Фэн Лин*, Джонатан Аронссон+


    *Скоростной

    +CEMWorks, Inc.

Учебники

Модератор:

Дипанджан Гоуп, Индийский научный институт


  • 8:00 — 9:00 по тихоокеанскому времени — Учебное пособие II — Анализ промежуточных устройств: проблемы и решения для эффективного извлечения 3D-ЭМ


  • 9:00–10:00 по тихоокеанскому времени — Учебное пособие IV — Учебное пособие по электрическим характеристикам и измерениям для электронных корпусов

    Хайди Барнс*, Майкл Дж. Хилл+, Вуи-Вэн Вонг**

    *Keysight Technologies
    +Корпорация Intel
    **AMD


10:00 — 10:10 по тихоокеанскому времени

Break

Feature Video
Спонсор: Samsung (Платиновый спонсор)


10:10–12:10 по тихоокеанскому времени

Учебники

Модератор:

Павел Рой Палади, IBM Corporation


  • 10:10 – 11:10 по тихоокеанскому времени – Учебное пособие V – Анализ и оптимизация интерфейсов SerDes, работающих на скорости 100 Гбит/с на полосу

    Кристиан Филип, Даниэль Де Араужо

    Сименс ЭДА


  • 11:10 — 12:10 по тихоокеанскому времени — Учебное пособие VII — Анализ каналов 224G Direct-to-Chip-Package

    Майкл Роулендс


    Амфенол

10:10–12:10 по тихоокеанскому времени

Учебники

Модератор:

Раджен Муруган, Texas Instruments


  • 10:10 — 11:10 по тихоокеанскому времени — Учебное пособие VI — Рекомендации по проектированию упаковки для проведения испытаний в крупносерийном производстве

    Майк Райан

    Корпорация Intel


  • 11:10 – 12:10 по тихоокеанскому времени – Учебное пособие VIII – Проблемы упаковки для мобильных устройств и не только: отраслевая перспектива

    Херардо Ромо Луэвано, Joonsuk Park

    Qualcomm


12:10 — 12:50 по тихоокеанскому времени

Ежегодное собрание IEEE EDMS

Стул:

Дейл Беккер, IBM Corporation


12:50 — 13:00 по тихоокеанскому времени

Подведение итогов 1-го дня

8:00 — 9:00 Тихоокеанский


Keynote I — 224 Гбит/с и больше, чем у Мура

Майк Пэн Ли

Корпорация Intel

Сессия M1A — Высокоскоростные каналы I

Председатель сессии:

Вендем Бейене, Facebook


  • 9:00 — 9:20 Тихоокеанский регион — M1A. 1. Метод оценки наихудшей глазковой диаграммы PAM-4 с учетом перекрестных помех для высокоскоростных последовательных каналов (52) (студенческий конкурс)

    Хёнвук Пак+, Джинвук Сон*, Ёнмин Ку*, Чонгю Пак*, Чонхо Ким+, Джихун Ким+, Минсу Ким+, Кыну Ким+, Бугё Сим+, Дэхван Лхо+, Тэин Шин+, Киён Сон+

    *Samsung Electronics
    + Корейский передовой институт науки и технологий


  • 9:20 — 9:40 Тихоокеанский регион — M1A. 2. Влияние метода выборки на точность регрессии для задачи высокоскоростного соединения (94)

    Син-Цзянь Шангуань*, Ханжи Ма+, Андреас Кангелларис*, Сюй Чен*


    *Университет Иллинойса в Урбана-Шампейн

    + Чжэцзянский университет


  • 9:40 — 10:00 Тихоокеанский регион — M1A. 3. Novel Approach to Voltage Adjustment of Low-noise Signaling in Power over Coax Circuits (39)

    Yutaka Uematsu*, Soshi Shimomura*, Yasuhiro Ikeda*, Hidetatsu Yamamoto+, Hideyuki Sakamoto*

    *Hitachi, Ltd
    +Hitachi Astemo Ltd


  • 10:00 — 10:20 am Pacific — M1A. 4. Параллельное байесовское активное обучение с использованием Dropout для оптимизации выравнивания высокоскоростных каналов (109)

    Сяньбо Ян+, Хакки Торун*, Джунян Тан+, Мадхаван Сваминатан*, Павел Палади+, Яньян Чжан+, Вирен Беккер+, Хосе Хеджасе**

    *Технологический институт Джорджии
    +IBM Corporation
    **NVIDIA Corporation

Сессия M1B — Расширенный САПР I

Председатель сессии:

Пьеро Триверио, Университет Торонто


  • 9:00 — 9:20 Тихоокеанский регион — M1B. 1. Статистический анализ перекрестных помех с помощью вероятностных суррогатов машинного обучения (65)

    Паоло Манфреди, Риккардо Тринкеро

    Политехнический университет Турина


  • 9:20 — 9:40 Тихоокеанский регион — M1B. 2. Двумерное макромоделирование с ограничениями пассивности (45) (студенческий конкурс)

    Томмазо Брадде, Алессандро Занко, Стефано Гривет-Талосия

    Политехнический университет Турина


  • 9:40 — 10:00 Тихоокеанский регион — M1B. 3. Быстрое извлечение параметров гибридных медно-графеновых межсоединений на единицу длины с помощью обобщенного машинного обучения на основе знаний (66)

    Суяш Кушваха*, Амир Аттар+, Риккардо Тринкеро+, Флавио Канаверо+, Рохит Шарма*, Сураджит Рой**

    * Индийский технологический институт Ропар
    + Политехнический университет Турина
    ** Индийский технологический институт Рурки


  • 10:00 — 10:20 Тихоокеанский регион — M1B. 4. Оценка в замкнутой форме смешанной потенциальной функции Грина Михальски-Чжэна в неограниченных слоистых средах с использованием метода аппроксимации спектрального дифференциального уравнения (112)

    Владимир Охматовский, Синбо Ли


    Университет Манитобы


10:20 — 10:30 по тихоокеанскому времени

Break

Feature Video
Спонсор: Intel Corporation (золотой спонсор)


10:30 — 12:00 по тихоокеанскому времени

Спонсорские виртуальные стенды (живое мероприятие)

. Выставка продуктов: Amphenol, Cadence, Keysight Technologies, Siemens EDA, Xpeedic


Сессия M2A — Целостность электропитания и сети распределения электропитания I

Председатель сессии:

Вайшнав Шринивас, Qualcomm Technologies Inc.

  • 12:00 — 12:20 Тихоокеанский регион — M2A.1. Моделирование перед драйвером и оценка джиттера в условиях шума источника питания (95) (студенческий конкурс)

    Malek Souilem*, Hamdi Belgacem+, WAEL DGHAIS+, Jai Narayan Tripathi**

    *Национальная инженерная школа Сусса, Университет Сусса
    + Высший институт прикладных наук и технологий Сусса, Университет Сусса
    ** Факультет электротехники Индийского технологического института Джодхпур

  • 12:20–12:40 Тихоокеанский регион — M2A. 2. Распределенное нелинейное экранирование в сетях подачи электроэнергии на печатных платах (85) (Студенческий конкурс)

    Torben Wendt*, Marco De Stefano+, Cheng Yang*, Stefano Grivet-Talocia+, Christian Schuster*

    *Гамбургский технологический университет
    +Политехнический университет Турина

  • 12:40 — 13:00 Тихоокеанский регион — M2A.3. Глубокая структура обучения с подкреплением для оптимального размещения развязывающего конденсатора на общей сети PDN с произвольным портом зондирования (50) (студенческий конкурс)

    Хэён Ким*, Хёнвук Пак*, Минсу Ким*, Сонгук Чой*, Джихун Ким*, Джунсан Пак*, Сонгук Ким*, Субин Ким+, Чонхо Ким*

    *Корейский передовой институт науки и технологий
    +Глобальный технологический центр (GTC), Samsung Electronics

Сессия M2B — методы проектирования пакетов

Председатель сессии:

Чжиго Цянь, Корпорация Intel

  • 12:00 — 12:20 Тихоокеанский регион — M2B. 1. Оптимизация назначения выводов на основе обучения с глубоким подкреплением для корпусов BGA с учетом целостности сигнала с графическим представлением (81) (студенческий конкурс)

    Джунсанг Пак, Минсу Ким, Сонгук Ким, Киён Сон, Тэин Шин, Хёнвук Пак, Сонгук Чой, Хэён Kim, Keunwoo Kim, Joungho Kim

    Корейский передовой институт науки и технологий

  • 12:20 — 12:40 Тихоокеанский регион — M2B.2. Масштабируемый контекстный процесс проектирования и извлечения для совместной оптимизации гетерогенных 2.5D-чиплетов (58) (студенческий конкурс)

    MD Арафат Кабир*, Душан Петранович+, Яруи Пэн*

    *Университет Арканзаса

  • 12:40 — 13:00 Тихоокеанский регион — M2B.3. Совместная оптимизация протокола передачи сигналов с полупроводниковой и корпусной технологией (92)

    Крутикеш Саху*, Бапи Виннакота+, Шахаб Ардалан**, Субраманиан Айер*

    * Калифорнийский университет, Лос-Анджелес
    + Broadcom Corporation
    ** Ayar Labs


13:00–13:10 по тихоокеанскому времени

Подведение итогов 2-го дня

8:00 — 9:00 Тихоокеанский


Keynote II — Упаковка и новые способы опережать «закон» в области высокопроизводительных вычислений

Брэдли (Брэд) Макреди

драм

Сессия T1A — Высокоскоростные каналы II

Председатель сессии:

Джуньянь Тан, Корпорация IBM


  • 9:00–9:20 по тихоокеанскому времени — T1A. 1. Влияние трассировки BGA на высокоскоростные сигналы (117)

    Грегори Питнер*, Уэйд Смит*, Малликарджун Васа+, Рэймонд Павлак+, Дуглас Винтербург+

    *Ansys
    +Dell Technologies


  • 9:20 — 9:40 Тихоокеанский регион — T1A. 2. Проектирование и анализ разъема HDMI 2.1 для уменьшения перекрестных помех с помощью вкладок и обратных вкладок (86)

    Дэхван Лхо*, Пак Гапёль*, Сон Кёнджун*, Кан Хёнмин*, Сим Бугё*, Ким Сонгук*, Шин Тэин*, Ким Кыну*, Сон Киён*, Ким Джинён +, Ким Чонхо*, Пак Чжунсан*, Пак Хёнук *


    * Корейский передовой институт науки и технологий
    + Korea Electric Terminal Co.ООО


  • 9:40 — 10:00 по тихоокеанскому времени — T1A. 3. Метод компоновки для уменьшения занимаемой площади конденсаторов блокировки постоянного тока (116)

    Хуан Мартинес, Керри Форд

    Корпорация IBM


  • 10:00–10:20 по тихоокеанскому времени — T1A. 4. Быстрое и точное моделирование компенсации перекоса дифференциальной трассы печатной платы с использованием машинного обучения (61)

    Джей Редди*, Джеймс Пингено+, Даниэль де Араужо+, Кристиан Филип+, Свагато Чакраборти+, Чак Ферри+, Джеймс Мобли*, Даг Уоллес*, Варун Горти**, Адам Кливанс**, Дэвид Пэн**

    *Dell Technologies
    +Siemens EDA
    **Техасский университет в Остине

Сессия T1B — Advanced CAD II

Председатель сессии:

Хеннинг Брауниш, Intel Corporation


  • 9:00 — 9:20 по тихоокеанскому времени — T1B. 1. Квантовый метод моментов для характеристики межсоединений (68) (Студенческий конкурс)

    Кристофер Филлипс, Владимир Охматовский

    Университет Манитобы


  • 9:20 — 9:40 Тихоокеанский регион — T1B.2. Метод быстрого поверхностного интеграла для широкополосного частотного анализа межсетевых сетей (93) (студенческий конкурс)

    Шашват Шарма, Пьеро Триверио

    Университет Торонто


  • 9:40 — 10:00 по тихоокеанскому времени — T1B. 3. О статистическом анализе физики пространственно-временных волн в сложных оболочках (87) (Студенческий конкурс)

    Шэнь Линь, Чжэнь Пэн

    Университет Иллинойса в Урбана-Шампейн


  • 10:00 — 10:20 по тихоокеанскому времени — T1B. 4. Предварительно обусловленный решатель интегральных уравнений с редуцированной доменной областью и многослойной средой без базиса Loop-Star (76) *

    Йи-Ру Чжон, Али Э. Йилмаз


    Техасский университет в Остине


    * Использует тест, установленный и выпущенный Комитетом по тестированию упаковки IEEE TC-EDMS.


10:20 — 10:30 по тихоокеанскому времени

Break

Feature Video
Спонсор: NVIDIA Corporation (Золотой спонсор)


10:30 — 11:30 Тихоокеанский


30 лет панели EPEPS

Модератор:

Кемаль Айгун, Корпорация Intel

Сеанс T2A — Целостность электропитания и сети распределения электропитания II

Председатель сессии:

Мэтью Дойл, IBM Corporation

  • 12:00–12:20 Тихоокеанский регион — T2A. 1. Метод оптимизации структуры сети распределения питания на основе обучения с глубоким подкреплением для интерпозера памяти с высокой пропускной способностью (21)

    Seonghi Lee, Hyunwoong Kim, Kyunghwan Song, Jongwook Kim, Dongryul Park, Jangyoung Ahn, Keunwoo Kim, Seungyoung Ahn

    Корейский передовой институт науки и технологий

  • 12:20–12:40 Тихоокеанский регион — T2A.2. Автоматический маршрутизатор пакетов для сети доставки электроэнергии (6)

    Райан Куттс, Абинаш Рой, Мали Нагараджан, Вайшнав Шринивас, Пол Пензес

    Qualcomm Technologies Inc.

  • 12:40 — 13:00 Тихоокеанский регион — T2A.3. Обратное проектирование сетей подачи электроэнергии с использованием инвертируемых нейронных сетей (60) (студенческий конкурс)

    Усама Вакар Бхатти, Никита Амбасана, Мадхаван Сваминатан

    Технологический институт Джорджии

Сеанс T2B — Методы анализа целостности сигнала

Председатель сессии:

Паоло Манфреди, Политехнический университет Турина

  • 12:00–12:20 Тихоокеанский регион — T2B. 1. Моделирование высокоскоростных приемников с использованием генеративно-состязательных сетей (74) (студенческий конкурс)

    Приянк Кашьяп, Питтс Уоллес, Дрор Барон, Чау-Вай Вонг, Тианфу Ву, Пол Франзон

    Университет штата Северная Каролина

  • 12:20–12:40 Тихоокеанский регион — T2B.2. Оценка сходства S-параметров с модифицированным расстоянием Хаусдорфа (17)

    Юрий Шлепнев

    Simberian, Inc.

  • 12:40–13:00 Тихоокеанский регион — T2B.3. Проект оптимального пассивного эквалайзера на основе последовательной политики для произвольного канала памяти с высокой пропускной способностью с использованием Advantage Actor Critic (62) (студенческий конкурс)

    Чхве Сонгук, Ким Минсу, Пак Хёнвук, Сон Киён, Ким Сонгук, Ким Джихун, Пак Джунсан , Хэён Ким, Тэин Шин, Кеунву Ким, Джунхо Ким

    Корейский передовой институт науки и технологий

Технология Inline Re-distribution Layer запускает революцию в чипах

Введение в Inline Re-distribution Layer (IRDL) и его основные функции

Спрос на мобильную память неуклонно растет вместе с постоянным ростом числа мобильных и носимых устройств. Когда дело доходит до мобильных устройств, портативность — это почти все, поэтому маломощная и ультратонкая технология PKG зарекомендовала себя как важный элемент для полупроводниковой промышленности.

Технология

Inline Re-distribution Layer (IRDL) — это передовая технология FAB, которая формирует проводку за счет использования дополнительного металлического слоя с изоляционным слоем и алюминием, что позволяет при необходимости свободно перемещать контактные площадки ввода-вывода в положение соединения проводов PKG. Эта технология позволяет сделать соединение чип-чип более тонким и простым.Кроме того, IRDL, одна из технологий RDL, была названа так, поскольку весь процесс происходит внутри FAB, в отличие от PKG RDL.
На рисунках ниже показаны два метода MCP 1 для чипов. «Вертикальная укладка MCP» (слева) — это существующий метод, при котором верхние чипы укладываются вертикально на связующую площадку нижних чипов. «Shift-Stack MCP с использованием RDL» (справа), с другой стороны, использует метод сдвига с накоплением, избегая связующей площадки. Таким образом, можно предотвратить помехи в проводах и короткое замыкание между проводом и микросхемой, которые могут возникнуть внутри MCP с вертикальным стеком.Зазор между верхней и нижней стружкой уменьшается при применении этого нового метода, что значительно упрощает достижение требуемой заказчиком толщины.

Рис. 1. MCP с вертикальным стеком и MCP со сдвиговым стеком

Загрузка изображения

Рисунок 2. Поперечное сечение рисунка 1

Загрузка изображения

Сравнение существующих процессов PKG RDL и IRDL

Основное различие между PKG RDL и IRDL заключается в методе формирования структуры, поэтому давайте узнаем больше о преимуществах IRDL.

Метод формирования структуры

PKG RDL в значительной степени делится на два процесса: FAB-in и FAB-out. Процесс FAB-in включает покрытие верхнего металла изоляционным материалом с открытыми только контактными площадками. Затем, в процессе FAB-out, вы наносите 1-й диэлектрический слой, чтобы отделить линию RDL от изоляционных материалов поверх пластины, и формируете линии, используя золото. После этого на верхнюю часть линии наносится 2-й слой диэлектрика.

С другой стороны, в методе IRDL вы используете изоляционные материалы для покрытия верхнего металла и формируете VIA для открытия контактных площадок.Затем вы используете алюминий для формирования линий, что отличается от PKG RDL. После этого сверху наносится теплоизоляционный материал.

IRDL имеет ту же цель для перемещения колодок, что и PKG RDL. Тем не менее, IRDL обладает тремя основными преимуществами благодаря RDL по мере продвижения процесса внутри FAB:

• Во-первых, улучшается матрица сетки, так как схемы могут располагаться под контактными площадками.
• Во-вторых, использование алюминия вместо золота снижает стоимость всего процесса до 30%.
• Наконец, повышается производительность микросхемы, поскольку разработчик схем может использовать RDL для усиления сетки питания 2 .

Рисунок 3. Сравнение PKG RDL с IRDL

Загрузка изображения

Чипы меньшего размера, лучше чистый кристалл со схемами, расположенными под контактной площадкой

При использовании существующей структуры PKG RDL во время зондирования и приклеивания часто возникали многочисленные проблемы, связанные с контактной площадкой, так как металл на поверхности был слишком тонким – менее 1 мкм.
Структура IRDL обеспечивает толщину верхнего металла почти 10 мкм, достаточную для того, чтобы выдерживать напряжение, возникающее во время зондирования и соединения, что позволяет разместить схему под контактной площадкой.В результате он может улучшить чистую матрицу за счет уменьшения размера чипа.

Усилить PDN с помощью IRDL

Усиленная сетка питания с использованием IRDL приводит к усовершенствованию сети распределения питания (PDN), что приводит к значительному повышению производительности чипа. Без IRDL усиление PDN может быть выполнено только с помощью существующей металлической проводки чипа, что приводит к ухудшению PDN в дальней зоне от контактной площадки. Таким образом, армирование было очень ограниченным при использовании этого метода. С другой стороны, при использовании IRDL значительно увеличилась свобода армирования, поскольку оно обеспечивает более низкое значение сопротивления из-за природы слоя RDL.Следовательно, производительность чипа можно улучшить с помощью IRDL.

IRDL: предшественник будущих устройств

Технология

IRDL обеспечивает низкозатратный процесс с достижением своей основной цели — перемещением контактных площадок ввода-вывода в положение, требуемое PKG, без ущерба для архитектуры существующей микросхемы. Он уже внес большой вклад в передовые технологии SK hynix на рынке мобильных устройств, уменьшив толщину готовых изделий. Это позволяет компании соответствовать будущему направлению мобильных устройств — более тонким продуктам.Защита этой элементной технологии имеет решающее значение для отрасли в целом, поскольку она совершенствует чистую матрицу за счет уменьшения ее размера и повышения производительности.

 

1 MCP: Multi Chip Package, технология, которая объединяет более двух полупроводниковых микросхем в один корпус для увеличения емкости и производительности при одновременном уменьшении монтажного пространства. Используется преимущественно для тонких портативных устройств, таких как смартфоны и планшетные ПК. Более тонкие чипы могут быть изготовлены во время MCP с использованием технологии IRDL.
2 Power mesh: Сеть, состоящая из линий электропередач на нескольких металлических слоях.

By Сеонсон Ким

Руководитель DRAM PI в SK hynix Inc.

Minsu Kim

(C: конференция, J: журнал, 1st: первый автор, 2nd: второй автор, Co: соавтор)

[C15, 1st] Изучение политик совместной работы для решения сложных проблем маршрутизации NP

NeurIPS , 2021 г., принято в качестве постерной презентации, Top Conference of ML/AI

[C14, 1st] Имитационное обучение для одновременной маршрутизации эвакуации

EPEPS , 2021, принимается в устной форме (15м)

[C13, 2nd] Оптимальный пассивный эквалайзер на основе последовательной политики на основе сети для произвольного канала памяти с высокой пропускной способностью с использованием Advantage Actor Critic

EPEPS , 2021, принимается в устной форме (15м)

[C12, 2nd] Оптимизация назначения выводов пакетов с шариковой решеткой с учетом целостности сигнала с обучением графическому представлению

EPEPS , 2021, принимается в устной форме (15м)

[C11, Co] PCIe 6 на базе PAM-4.

0 Метод оптимизации конструкции канала с использованием байесовской оптимизации (BO)

EPEPS , 2021, принимается в устной форме (15м)

[C10, Co] Анализ целостности сигнала высокоскоростного канала с учетом теплового распределения

EPEPS , 2021, принимается в устной форме (15м)

[C9, Co] Метод оценки наихудшей глазковой диаграммы PAM-4 с учетом перекрестных помех для высокоскоростных последовательных каналов

EPEPS , 2021, принимается в устной форме (15м)

[C8, Co] Решатель многоразового размещения развязывающего конденсатора для PDN с портом произвольного зондирования с использованием глубокого обучения с подкреплением

EPEPS , 2021, принимается в устной форме (15м)

[C7, 1st] Модель нейронного языка обеспечивает чрезвычайно быструю и надежную маршрутизацию на Interposer

DesignCon, 2021, принято в качестве устной презентации (45 м), Top Conference of SI/PI , лучший финалист*

[C6, 2nd] Проектирование межсоединений на основе глубокого обучения для трехмерной структуры массива X-Point с учетом целостности сигнала

ЕДАПС , 2020 г. , принято в качестве устного доклада (15м), лучшая работа*

[C5, 2nd] Метод проектирования оптимального развязывающего конденсатора на основе обучения с усилением градиента политики для 2.5-D/3-D ИС с использованием Transformer Network

ЕДАПС , 2020 г., принимается в устной форме (15м)

[C4, Co] Моделирование сосредоточенных цепей на основе глубоких нейронных сетей с использованием кривой импеданса

ЕДАПС , 2020, принято в виде постерной презентации (5м)

[C3, Co] Проектирование и анализ встроенных охлаждающих конструкций на основе линий теплопередачи для модуля памяти с высокой пропускной способностью и 2.5 интегральных схем D/3D

ЕДАПС , 2020 г., принимается в устной форме (15м)

[C2, Co] Глубокое обучение на основе обучения через кремний через (TSV) Метод оптимизации конструкции массива с учетом перекрестных помех

IEEE Electrical Design of Advanced Packaging and Systems ( EDAPS ), 2020, принята в виде устной презентации (15м)

[C1, 1st] Автомаршрутизатор на основе обучения с подкреплением с учетом целостности сигнала

29-я конференция IEEE по электрическим характеристикам электронных корпусов и систем ( EPEPS ), 2020 г. , принята в качестве устной презентации (15 мин.)

Корейский передовой институт науки и технологий

М.S. в области электротехники • 2020 — Сейчас

Корейский передовой институт науки и технологий

Б.С. по двойному диплому по математике и информатике • 2015 — 2020

Прогнозирование и оптимизация дизайна на основе AI/ML для целостности сигнала на канале высокоскоростного хост-интерфейса SSD

сотрудничество с Samsung Electronics • 2021 — Сейчас

Используя методы как классического, так и машинного обучения, мы строим быструю регрессионную модель высокоскоростного хост-интерфейса, включая каналы, переходы и т. д.Затем мы предоставляем эффективную структуру глубокого обучения с подкреплением (DRL) для оптимизации дизайна, где модель прогнозирования передает вознаграждение на основе целостности сигнала агенту DRL.

Разработка высокоскоростных соединителей

сотрудничество с Korea Electronic Terminal (KET) • 2020 — 2020

Мы разрабатываем разъем USB 3.2 Gen2 Type C, основной целью которого является разработка разъема с целостностью сигнала для передачи сигналов 10 Гбит/с.

Маршрутизация интерпозера с помощью обучения с подкреплением

Инженерный семинар по искусственному интеллекту в LG Electronics • 2020

Я представил кандидатское приложение Deep Learning для 3D-интеграции, включая планирование этажей, размещение микросхем и маршрутизацию. Я представил свое исследование нового метода маршрутизации, предназначенного для интерпозера High Bandwidth Memory (HBM) (часть моего исследования на DesignCon (2021)).

Автотрассировщик на основе обучения армированию для 3D-интеграции

Семинар сотрудничества Samsung-KAIST • 2020

На этом семинаре я представил новый метод маршрутизации каналов с использованием обучения с подкреплением в HBM Interposer. Представлена ​​часть моих исследований на DesignCon (2021) и EPEPS (2020).

Как лучшие фотографы побеждают неуверенность в себе, часть 2

Неуверенность в себе и страх неудачи преследуют многих фотографов, особенно когда они только начинают. Успешные фотографы делятся своими сомнениями и страхами, а также стратегиями их преодоления. На прошлой неделе мы поделились первой частью этой серии из четырех частей. Представляем вторую часть:

Дуэйн Майклс

«Неуверенность в себе? Я сам этого не понимаю.Творчество всегда должно быть рискованным. Если вы находитесь в своей зоне комфорта, вы на самом деле не креативны.

«Как можно быть уверенным в себе, когда тебе 20 лет? Что вы наделали? Вам не на чем строить уверенность. Я не стал фотографом, пока мне не исполнилось 28. К тому времени я приобрел определенную уверенность в себе, занимаясь другими вещами. Когда мне было 15, я прочитал в McKeesport Daily News , что если вы отправитесь в Техас и последуете за урожаем пшеницы на север, в Канаду, вы сможете заработать много денег. Родители отпустили меня! Это было грандиозное приключение, и оно было ужасающим. В 17 лет [я] пошел в школу в Колорадо, затем в 21 год я служил в армии в Германии во время Корейской войны. И поверь мне, если бы ты смог выжить в армии, ты смог бы пережить что угодно.

«Большинство молодых людей нуждаются в подкреплении. Выбраться оттуда сложно. Вы настолько завалены конкуренцией, что это подавляет. Все приезжают в город, не зная, куда идти, что делать, с чего начать. Вы должны быть сами себе альфой и омегой, своим собственным судьей.Когда я нашел фотографию, я знал, что нашел свое дело. Это было откровением, и таким освобождающим. Как только вы найдете эту вещь, чем бы она ни была, ничто не сможет вас остановить. Не полагайтесь на других людей [для утверждения]. Я доверял своей интуиции. Вот чему я научился очень рано: доверять своей интуиции. Я сначала стреляю, а потом задаю вопросы. Я также не нуждался ни в чьем одобрении. Когда я давал свои первые концерты, мне никто не аплодировал».

Карим Блэк

«Я думаю, что самые сильные артисты — это те, кто постоянно думает, что их карьера рушится.Я чувствую, что чувствовать себя комфортно — значит почивать на лаврах, и я думаю, что вам нужно бояться. Я всегда думаю, что моя карьера подходит к концу, но это движет мной.

«Всякий раз, когда [работа] замедляется, все эти вопросы начинают лезть в голову. У меня хорошо? Я делаю что-то не так? Я больше не «в теме»? Я хочу, чтобы мой чертов телефон зазвонил. Я хочу, чтобы люди думали, что я хороший. Мне не нужно, чтобы люди кланялись мне в ноги или что-то в этом роде. [Речь идет о] людях, которые хотят, чтобы вы делали то, что вы делаете, и ценят то, что вы делаете.А без этого ужасно…. То, что я стараюсь делать [когда мой телефон не звонит], это просто пытаться фотографировать и показывать людям эти фотографии. Вот как я пытаюсь справиться с этим психологически, а также практически. Я бы сошла с ума, если бы не работала, но это помогает психологически, а также с точки зрения карьеры, если я делаю работу и показываю ее».

Джамель Шабаз

«Я считаю себя довольно общительным человеком, и у меня никогда не было проблем с общением с совершенно незнакомыми людьми, но моя зона комфорта как фотографа всегда была за камерой.Когда начали появляться запросы и просьбы об интервью, я столкнулся с неизбежным: интервью, записанные на видео… Мои слова никогда не передавали того, что было на самом деле в моем сердце. Пересматривая свои прошлые презентации, я стал чрезмерно критичен, находя недостатки в каждом предложении… В то же время я знал, что для того, чтобы завоевать популярность в мире фотографии, нужно давать интервью, сидеть на панелях и читать лекции в некоторых точкой в ​​их карьере, поэтому было крайне важно преодолеть любое чувство неуверенности в себе.

«Я начал изучать презентации фотографа-документалиста Джозефа Родрикеса, которого считаю хорошим другом и наставником. Джозеф — искусный рассказчик, который говорит страстно, безоговорочно от всего сердца и не заботится о том, что думают критики. Именно его пример вселил в меня уверенность, чтобы преодолеть сомнения и встретить их лицом к лицу, открываясь и говоря правду власти, когда бы ни представилась возможность.

«Главный ключ — верить в себя и говорить от всего сердца.

Ссылки по теме:

Как лучшие фотографы побеждают неуверенность в себе, часть 1

Ветеран фэшн-фотографа Памела Хэнсон о своей долгой развивающейся карьере

Как Марк Петерсон остается вдохновленным и как он подпитывает свою долгую карьеру

Связанные статьи

.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.

*

*

*